Compañía Samsung anunció el inicio de la producción en masa de la memoria QLC V-NAND de 9ª generación. La nueva memoria llega solo cuatro meses después del lanzamiento de la memoria TLC. La nueva memoria aparecerá en los productos de consumo de la marca Samsung, y se lanzará una línea de SSD SSD sobre su base.
Estas soluciones se utilizarán en los servicios modernos en la nube y también se utilizarán en las unidades flash universales UFS. La nueva memoria proporciona una mayor fiabilidad del almacenamiento de datos y tiene una velocidad de E/S de datos un 60% más rápida.
Al mismo tiempo, se observa que la nueva memoria proporciona una reducción del 50% en el consumo de energía al escribir información y una reducción del 30% al leer información. La nueva generación de memoria QLC V-NAND ofrece la densidad de bits más alta de la industria, lo que permite una mayor capacidad de memoria en el chip.
